的下一代CVD技术核心方向。不同于市场上仍普遍采用的“twinchamber”架构，皓宇电子选择了技术门槛更高的“多工艺腔-多Station”模式，以提升沉积路径一致性和厚膜工艺效率，在工艺稳定性、设备兼容性、产线产能提升与成本控制等关键维度，形成显著竞争优势。

　　区别于传统的“外观对标+参数拼接”策略，皓宇电子自主构建了完整的国产化CVD设备体系，涵盖从结构设计到控制平台的全链路创新：

　　皓宇电子自2021年起建立自主知识产权体系，目前已累计百余项专利布局，覆盖多工艺腔-多Station架构、加热系统、功率系统、传输机构、智能算法及核心零部件等多个关键技术领域。这些专利不仅形成了核心模块的技术护城河，更为整机的独立演进与横向拓展奠定了基础，使设备能够灵活适配更多先进制程和新材料应用。

　　降本增效方案支持——通过结构优化与核心部件自研，打造“低成本、高效率”的整机体系，帮助客户在降低采购成本的同时提升生产效率；

　　按需配置灵活选型—— 核心部件支持国产替代与进口灵活选择，满足不同客户多层次需求与策略部署。

　　作为国内首家完成“多腔多Station”CVD设备量产的企业，皓宇电子不仅填补了该技术路线的国产空白，更为国产半导体设备迈向“高端可用、广域适配”提供了可借鉴的创新样本。

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